RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.2
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
44
Около -16% меньшая задержка
Выше скорость записи
8.3
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
38
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
9.4
Скорость записи, Гб/сек
8.1
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2110
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-4200C19-4GTZ 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M4B2133C10 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M8FR 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link