RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
44
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
27
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2409
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMWX16GC3200C16W4 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FAD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Avant Technology J642GU42J5213N4 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Crucial Technology BLE4G4D26AFEA.8FBD 4GB
Corsair CMK32GX5M2B5200C40 16GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link