RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
44
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.6
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.0
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
21.6
Скорость записи, Гб/сек
8.1
15.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
3581
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R538G1601U2S 8GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I6GKSEG 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTRG 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Nanya Technology M2F2G64CB88B7N-CG 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link