Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Kingston XJV223-MIE 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Средняя оценка

Kingston XJV223-MIE 16GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston XJV223-MIE 16GB

Причины выбрать
Kingston XJV223-MIE 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

39 44

Около -13% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.2 11.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.3 8.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 10600

Около 2.01 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Kingston XJV223-MIE 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

44 39
Скорость чтения, Гб/сек

11.2 17.2
Скорость записи, Гб/сек

8.1 11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 21300

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2293 3127

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB

модули RAM

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1A2 8GB

модули RAM

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9905624-023.A00G 8GB

Kingston 9905624-023.A00G 8GB

модули RAM

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Kingston KVR800D2N6/2G 2GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

модули RAM

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Team Group Inc. UD5-6400 16GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E1 4GB

модули RAM

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

Kingston KVR16N11/8-SP 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-4266C19-8GTZR 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB

модули RAM

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB

модули RAM