RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
44
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
25
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2620
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4B2800C14 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FARG 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FBR2 4GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KHX3200C18D4/16G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
A-DATA Technology AO2P32NCST2-BZ7SHD 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1A1 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FHD1 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link