RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
44
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.1
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.9
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
34
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
13.1
Скорость записи, Гб/сек
8.1
12.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2608
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4266 C18 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
UMAX Technology D4-2666-8GB-1024X8-L 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FDD1 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link