RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB против SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
44
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
11.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.6
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
44
37
Скорость чтения, Гб/сек
11.2
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2293
2438
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB Сравнения RAM
EVGA 08G-D3-2133-MR 4GB
Elpida EBJ40UG8EFW0-GN-F 4GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2HU416R 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Ramaxel Technology RMUA5120ME86H9F-2666 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Samsung M393A1G40EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link