RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
69
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
6.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
69
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
12.6
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
1602
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.4020B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
AMD R748G2400S2S 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kllisre HMA81GU6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3H1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix GKE800SO51208-2133AH 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link