RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
17.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3162
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 8GB 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8XR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CMW64GX4M4A2666C16 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BA160BJ.M8F 4GB
AMD R334G1339U2S 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FE 32GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston 9905598-044.A00G 16GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Micron Technology 9HTF3272Y-40EB2 256MB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link