RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
49
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3044
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL16G26C16S4B.16FD 16GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZSWC 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FE 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Shenzhen Technology Co Ltd 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link