RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
49
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
19.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3553
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4WL.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C4FE 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMU64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CM4X4GD3000C16K2 4GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTRG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-D8---------- 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Kingston 99U5701-036.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link