RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2809
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Smart Modular SF464128CKHIWDFSEG 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZRA 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Samsung M393A2G40DB1-CRC 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link