Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка

Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB

Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB

Причины выбрать
Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 49

Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.7 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

14.7 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Essencore Limited KD48GS88C-32N2200 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 31
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 17.7
Скорость записи, Гб/сек

7.8 14.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 3297

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72AZ-2G1A1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N190A 8GB

модули RAM

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Kingston KVT8FP-HYC 4GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

Samsung M471A2K43CB1-CTCT 16GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB

модули RAM

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Kingston 9905403-156.A00LF 2GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FD 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Transcend Information JM1600KLH-8G 8GB

Transcend Information JM1600KLH-8G 8GB

модули RAM

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

Kingston KF3200C20S4/16GX 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-8GTZSW 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB

модули RAM

Kingston KF552C40-16 16GB

Kingston KF552C40-16 16GB

Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB

Ramaxel Technology RMUA5110ME78HAF-2666 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB

модули RAM