Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

Сообщить об ошибке

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

30 49

Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения

16.4 10.1

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.7 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB

G Skill Intl F4-2400C15-4GIS 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

49 30
Скорость чтения, Гб/сек

10.1 16.4
Скорость записи, Гб/сек

7.8 11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2070 2608

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

Corsair CM4X8GD3600C18K2D 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

A-DATA Technology DQVE1908 512MB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

Samsung M378A1K43DB2-CVF 8GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GRS 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB

Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB

модули RAM

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

Heoriady M471A1K43BB1-CRC 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB

Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB

модули RAM

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

Samsung M392A4K40BM0-CRC 32GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

Nanya Technology M2Y2G64TU8HD5B-AC 2GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB

модули RAM

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

A-DATA Technology DQKD1A08 1GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-Ind-2666 8GB

модули RAM

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB

модули RAM