RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
49
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
14.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
13.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3377
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416F82-3200D 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FBR1 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston 9905702-184.A00G 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330MJ78HBF-3200 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3466C16 8GB
OCZ OCZ3G2000LV2G 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link