RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
77
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость записи
7.8
5.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
13.1
10.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
77
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
13.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
5.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
1440
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB Сравнения RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd MD401GNSE-CB3M2 8GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Samsung M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C20 Series 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Apacer Technology 78.CAGP7.C7C0B 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
SK Hynix GKE160SO102408-3000 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Essencore Limited IMA41GU6MFR8N-CF0 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link