RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
49
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
17.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3017
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Vasekey M378A1K43BB2-CPB 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Roa Logic BV iGame DDR4 8G 3000 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK16GX4M1E3200C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZ 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FR 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link