RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против INTENSO 5641162 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
INTENSO 5641162 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
INTENSO 5641162 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
49
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2799
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CM4X8GE2666C16K4 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FE 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Inmos + 256MB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KHX1600C9D3/4GX 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston 9905630-033.A00G 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link