RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против INTENSO 5641162 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
INTENSO 5641162 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
INTENSO 5641162 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
49
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
16.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2799
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
INTENSO 5641162 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Gloway International (HK) STKD4GAM2400-F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C16 Series 16GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Transcend Information JM3200HLB-8G 8GB
A-DATA Technology AD4U240038G17-BHYA 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link