RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Kingston 9905630-018.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
49
Около -44% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.3
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2353
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905630-018.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK64GX4M4B3466C16 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Kingston 9965589-005.A01G 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Asgard VML41UG-MIC1U22T1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVK 4GB
Samsung M378B1G73QH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FAR 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link