RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Kingston 9905702-121.A00G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
73
Около 33% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.4
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
73
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
1893
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingston MSI24D4S7D8MH-16 16GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRG 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-4266C17-8GTZRB 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905624-033.A00G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2666C16-4GRB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link