RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
49
Около -63% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3466
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C16 Series 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Samsung M393A5143DB0-CPB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KF3200C16D4/16GX 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston KHX426C13/8G 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BSIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z2933C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G26662 16GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link