RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
49
Около -123% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
20.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
18.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
4324
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston 9905622-075.A00G 8GB
Micron Technology 36KSF2G72PZ-1G6N1 16GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston ACR32D4U2S1ME-8 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Corsair CM5S16GM4800A40N2 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FADG 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link