RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
100
Около 51% меньшая задержка
Причины выбрать
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.2
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
100
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
15.2
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
1479
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2666C16 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston X74R9W-MIE 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESCK.M8FE 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMT16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZSW 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link