RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
49
Около -81% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.9
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
27
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
18.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
3741
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston 9905734-061.A00G 32GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-4266C16-8GTZR 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Corsair CMU16GX4M2A2666C16 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M391B1G73QH0-CMA 8GB
A-DATA Technology AM1P24HC4R1-BUNS 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMN32GX4M2Z4600C18 16GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link