RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
49
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.8
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
36
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
14.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2070
2564
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Samsung M392B1K70CM0-YH9 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Apacer Technology 78.C1GET.9K10C 8GB
Kingston 9905700-026.A00G 8GB
Samsung M471B1G73BH0-CH9 8GB
Samsung M378B1G73BH0-CK0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology BLS16G4D32AESC.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Elpida EBJ40UG8EFU0-GN-F 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link