RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
47
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
24
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2517
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213381 4GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905701-131.A00G 16GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U7MFR8N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3000C15 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Mushkin MES4S213FF16G28 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link