RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
47
Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
19.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3683
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 3600 2OZ 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLUE4162417AD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FAR 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M8FJ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FDD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FAD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link