RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
47
Около -34% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.1
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
35
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
10.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
1998
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G13332 8GB
Corsair CMX8GX3M1A1333C9 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information JM2666HSB-8G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
AMD R748G2133U2S-UO 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Samsung M378B5773CH0-CH9 2GB
Smart Modular SF4641G8CKHIWDFSEG 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Gloway International (HK) STK4U2400D17042C 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G46ME-32AA 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link