RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
19
47
Около -147% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.4
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
19
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
16.4
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 14 16 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3521
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965669-018.A00G 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Samsung M378A2K43DB1-CTD 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Avant Technology W641GU42J7240NB 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451S6AFR8N
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CM4X16GE2400Z16K4 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CM4X8GF2666C18S2 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Samsung M474A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
JUHOR JHD2666U1908JG 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link