RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
47
Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.3
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
7.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3736
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Corsair CMW32GX4M4D3600C18 8GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.M8FADG 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.16FE 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Mushkin 996902 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FP 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
V-Color Technology Inc. TA48G30S815G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
Kingston 99U5428-040.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSW 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZN 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Mushkin MR[A/B]4U300JJJM16G 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180C 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link