Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

Причины выбрать
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 47

Около -68% меньшая задержка
Выше скорость чтения

20 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

16.4 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 28
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 20.0
Скорость записи, Гб/сек

7.8 16.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 3925

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

Panram International Corporation PUD42400C168GVS 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

Ramaxel Technology RMUA5200MJ78HAF-3200 8GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

Corsair CMW8GX4M1D3000C16 8GB

модули RAM

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Kingston HP698651-154-MCN 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFRA266.C4FE 8GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E85-3200E 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB

Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB

Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB

модули RAM

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

модули RAM