RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
47
Около -47% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
32
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2974
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CM4X16GE2400C14K4 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-2G3A1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Corsair CMD32GX4M2C3200C14T 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GZOH23F-18---------- 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9965589-006.E00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMW32GX4M2Z2933C16 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link