RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
47
Около -161% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.9
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
18
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
20.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
17.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3668
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
G Skill Intl F4-3800C14-8GTZN 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FADG 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4A2800C16 4GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Samsung M471A1G43DB0-CPB 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 99U5702-101.A00G 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Kllisre 99P54280002.A00LF 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 9965604-033.D00G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kingston 9965596-029.B00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link