RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
47
Около -62% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
3291
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4K3600C16 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4200C19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Kingston 9905701-022.A00G 16GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston HX421C14FB/4 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-3G2J1 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9965669-019.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link