RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.1
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
11.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2319
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Сравнения RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GVR 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTRS 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKY 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KTD3KX-MIB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Kingston 9965589-030.D01G 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link