RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против INTENSO 5641152 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
INTENSO 5641152 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
7.8
6.8
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
INTENSO 5641152 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
47
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
10.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
23
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2215
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
INTENSO 5641152 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRB 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Panram International Corporation W4N2666PS-8G 8GB
Kingston KHX1866C10D3/4G 4GB
Kingston KHX2666C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C14T 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link