RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
47
49
Около 4% меньшая задержка
Причины выбрать
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
17.1
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
49
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
17.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2668
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston ACR32D4S2S8ME-16 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4400 C18 Series 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.M4FF 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston 9905700-017.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Heoriady M471A1K43CB1-CTD 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTRS 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link