Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

Причины выбрать
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

25 47

Около -88% меньшая задержка
Выше скорость чтения

19.3 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.9 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 12800

Около 1.5 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 25
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 19.3
Скорость записи, Гб/сек

7.8 15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 19200

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 3751

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB

модули RAM

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB

модули RAM

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Kingston 9905316-106.A02LF 1GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB

модули RAM

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB

модули RAM

AMD R5S38G1601U2S 8GB

AMD R5S38G1601U2S 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

V-Color Technology Inc. TL48G32S8KGRGB16 8GB

модули RAM

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

Maxsun MSD48G26Q3 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

Kingston 9905403-447.A00LF 4GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

Crucial Technology CB8GU2400.C8ET 8GB

модули RAM

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB

модули RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GX2133D464L15S/8G 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB

модули RAM

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB

Kingston 9965669-017.A00G 16GB

Kingston 9965669-017.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

Crucial Technology CT4G4DFS8213.M8FA 4GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GS6AFR8N

модули RAM