RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Kingston KTP9W1-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2978
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Samsung M393A2G40DB0-CPB 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KTP9W1-MIE 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
PNY Electronics PNY 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FE 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Nanya Technology NT2GC64B88G0NS-DI 2GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965600-012.A02G 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBD1 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2E3200C16 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingmax Semiconductor GZNG43F-18---------- 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link