RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
47
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.9
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
17.0
Скорость записи, Гб/сек
7.8
8.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2623
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16A6A2G64HZ-2-2E1 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston 9905599-029.A00G 4GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXKB 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3200C16-R 4GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270ME86H9F-2666 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KF3600C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link