RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
47
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2640
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G6H1 32GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E1 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-UH 16GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKW 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GVRB 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4000 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link