RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
47
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.1
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.0
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
31
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
14.1
Скорость записи, Гб/сек
7.8
9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2640
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G1B1 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Teikon TMA81GS6CJR8N-VKSC 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBR2 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFXR 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA425S6BJR6N-UH 2GB
Nanya Technology NT1GT64U8HB0BN-3C 1GB
Kingston KVR800D2S6/4G 4GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9905622-051.A00G 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2C3466C16W 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BWCS 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link