RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
34
47
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
34
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
15.8
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2830
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FHP 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Kingston 9905713-008.A00G 4GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.M8FRS 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3733 C17 Series 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4Z3200C16 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link