Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

47 64

Около 27% меньшая задержка

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

17.2 10.4

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

8.3 7.8

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G26662 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

47 64
Скорость чтения, Гб/сек

10.4 17.2
Скорость записи, Гб/сек

7.8 8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2169 1965

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB

Kingston 99U5624-003.A00G 8GB

Kingston 99U5624-003.A00G 8GB

модули RAM

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB

модули RAM

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Kingston 9965662-016.A00G 16GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

Corsair CMK192GX4M12P3200C16 16GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

G Skill Intl F4-3466C16-16GTZ 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD251280081 512MB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB

модули RAM

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C4FE 8GB

модули RAM

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB

Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

Golden Empire CL18-22-22 D4-3600 16GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

AMD R538G1601U2S-UO 8GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

Kingston KTD3KX-MIB 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

Kingston 9905622-051.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCSJ 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 8R8F1G64HZ-2G3B1 8GB

модули RAM