RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB против Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
47
Около -114% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.4
16.9
Скорость записи, Гб/сек
7.8
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2169
2708
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB Сравнения RAM
V-Color Technology Inc. TD8G16C10-OC18AK 8GB
Kingston 9905430-400.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.16FBD2 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Apacer Technology 78.B1GQB.4010B 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22/16G 16GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3200C14 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G3B1 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4000C19 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link