RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
56
Около 41% меньшая задержка
Причины выбрать
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
19.6
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
56
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
19.6
Скорость записи, Гб/сек
7.3
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
2296
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1B1 32GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8XR 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9905665-020.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 72ASS4G72LZ-2G1A1 32GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston KHX2133C14S4/16G 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
SK Hynix HMA81GR7MFR8N-UH 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Unifosa Corporation GU502203EP0201 1GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3200 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link