RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
33
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.3
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
31
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
13.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3318
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16G
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Corsair CMR32GX4M4C3200C16 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Apacer Technology 78.CAGP7.40C0B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GFXR 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX3000C16/16GX 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link