RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
33
Около -18% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.5
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
28
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
18.0
Скорость записи, Гб/сек
7.3
14.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
3490
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Corsair CMW16GX4M2E3200C16 8GB Сравнения RAM
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Kingston 9965669-009.A00G 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
INTENSO M418039 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E2 16GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2133 C14 Series 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16-R 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link