Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка
star star star star star
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 89
    Около 63% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    7.3 left arrow 6.8
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость чтения
    13.6 left arrow 8
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology CB8GS2400.C8D 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    33 left arrow 89
  • Скорость чтения, Гб/сек
    8.0 left arrow 13.6
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.3 left arrow 6.8
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1911 left arrow 1518
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения