Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Средняя оценка

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

33 34

Около 3% меньшая задержка

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Причины выбрать
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14 8

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

10.4 7.3

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB

Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

33 34
Скорость чтения, Гб/сек

8.0 14.0
Скорость записи, Гб/сек

7.3 10.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1911 2616

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB

Corsair CMZ32GX3M4A1866C9 8GB

Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB

Essencore Limited IM4AGS88N24-FFFHA0 16GB

модули RAM

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3000C16 8GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

Kingston 9905678-110.A00G 8GB

модули RAM

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

Peak Electronics 256X64M-67E 2GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB

G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FJ 16GB

модули RAM

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB

Kingston 9965662-004.A00G 16GB

Kingston 9965662-004.A00G 16GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

G Skill Intl F3-1600C11-4GIS 4GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

Kingston KF3000C15D4/8GX 8GB

модули RAM

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

Kingston KF2933C17S4/32G 32GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

G Skill Intl F4-3000C16-8GSXFB 8GB

модули RAM

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Corsair CM2X1024-6400C4 1GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FARG? 4GB

модули RAM