RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB против G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
33
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.7
8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
19.2
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
10600
Около 2.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
33
24
Скорость чтения, Гб/сек
8.0
21.7
Скорость записи, Гб/сек
7.3
19.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
21300
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1911
4349
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70BH1-CH9 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston CBD24D4S7D8MA-16 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 4GB CL16 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Corsair CMK32GX4M2D3600C16 16GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD8266.C16FB 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link